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          恩智浦推出全球首款雙電源電壓ARM Cortex-M0微控制器

          發布日期:2017-09-29 16:20:08

          恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日宣布推出LPC1100LV系列,這是全球首款支持1.65V至1.95V VDD和1.65V至3.6V VIO雙電源電壓的ARM® Cortex™-M0微控制器。LPC1100LV系列采用2mm x 2mm微型封裝,性能達到50 MIPS,功耗比同類3.3V VDD器件低三倍以上。LPC1100LV平臺專門針對電池供電型終端應用而設計,包括手機、平板電腦、超級本(Ultrabooks™)以及有源電纜、相機和便攜式醫療電子設備的移動配件。

           

          恩智浦半導體微控制器業務部市場總監Jan Jaap Bezemer表示:“通常,在單個微型封裝中目前還無法實現高性能雙電源電壓的產品。LPC1100LV系列在同一器件中將電池供電應用的這些關鍵要求獨特地結合起來,使客戶可以打造前所未有的低功耗解決方案。”

           

          針對低功耗、快速喚醒而設計

          得益于恩智浦最新256字節擦除扇區和低漏電流的嵌入式專有閃存,LPC1100LV可以在低時鐘頻率下出色地處理線性電流消耗,同時還能降低系統功耗。例如,在智能手機等移動系統中,多數系統元件需要在大多數時候保持功耗極低的睡眠模式。在需要使用器件時,必須在極短的時間內快速喚醒并達到峰值性能。而LPC1100LV的喚醒時間為5us,完全符合這一要求。

           

          更高效地執行要求更高的任務

          恩智浦的LPC1100LV器件可實現50 MIPS的性能,而8/16位MCU的典型性能僅為1至5 MIPS。其出色的表現使LPC1100LV可以更快地完成要求極高的任務,并減少保持活動模式的時間,從而進一步降低器件的平均功耗。對于相同的任務,LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95V VDD低電壓輸入,功耗比競爭對手采用3.3V VDD輸入的Cortex-M0器件低三倍以上,比典型8/16位MCU低十倍以上??梢猿浞职l揮LPC1100LV的MIPS性能優勢的子系統包括:系統安全和驗證 (包括處理AES-256加密)、系統接口和控制 (如鍵盤和觸摸屏)、系統外設控制 (音頻和照明) 以及軟件堆棧的運行 (如藍牙低功耗無線電)。

           

          小尺寸和獨特的電平轉換功能

          LPC1100LV采用恩智浦2-mm x 2-mm微型芯片級封裝 (WLCSP) —— 是全球最小體積的32位MCU。該款器件同時提供5-mm x 5-mm HVQFN封裝選擇,為CPU和I/O提供1.8V VDD和3.3V VIO雙電壓輸入,并具有獨特的SSP/SPI (3.3V) 和I2C (1.8V) 間電平轉換能力。恩智浦還為大客戶提供SRAM、閃存和封裝的定制組合。

           

          LPC1100LV器件的其他關鍵技術參數包括:

           

          • 高達50MHz的Cortex-M0 CPU
          • 1.6uA深度睡眠電流和5us喚醒時間
          • 最高8 KB SRAM和32 KB閃存
          • SPI、UART和I2C
          • 最高10位、8通道ADC,采樣率為400 ksps
          • 32位和16位定時器各2個
          • 精度為1%的12 MHz振蕩器,
          • WL-CSP25、HVQFN24和HVQFN33三種封裝選擇 (提供BGA封裝)
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